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摩尔定律终结之日一步步逼近

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更新:06-23     编辑:     来源:    
  • http://m.cnbeta.com/view/853481.htm

    solidot   2019-06-03 21:19:23

    摘要:
    今年四月,两大芯片制造商台积电和三星先后宣布了 5 纳米制造工艺。台积电称它的 5 纳米制程提供了 15% 的性能提升或 30% 的功耗改进,三星称它的新工艺提供了 10% 的性能提升或 20% 的功耗改进。

    分析师表示这些数据与预期的相符合。这与十年前的 50% 提升不可同日而语,但从芯片工厂的投资判断,客户仍然认为这是值得的。

    5 纳米工艺将使用极紫外光刻技术,能在硅片上产生极端精细的图案。光刻机非常昂贵,一台价值就超过一亿美元。

    极紫外光刻将是未来工艺制程的核心。在 5 纳米之后将是 3 纳米,但 5 和 0 之间的数字不多了,摩尔定律终结之日正一步步逼近。

    摩尔定律终结之日一步步逼近


    网友评论:


    硅芯片之后会是什么,技术已经被智子锁死了吗

    某D字母开头的芯片材料似乎在蠢蠢欲动,石墨表示大哥您要站上历史舞台了吗?
    摩尔定律早完蛋了。。。


    “留给CPU制程的数字已经不多了。”
    我记得n年前就说过10纳米就是极限,再小会有电子隧穿效应
    记得看过科普文章说小于多少纳米就会出现量子隧穿效应,拦不住电子闪现在门那边,全变成导体了。哪位记得是多少纳米来着?如果是真的,以后再想提高运算速度怎么办?
    0过了就0.9,0.8,0.7呗,有什么大不了的
    在桌面上早就完蛋了,现在都是想搞并行化或者ASIC来提升效率
    现在关键不是工艺问题吧,而是传统cpu单核心性能的提高已经步入瓶颈了
    NM完还有更小的单位嘛。。以前不照样 用微米
    看看什么超导/可控核聚变,各种科技锁死

    原子缩不小了啊
    达到瓶颈就好好让软件和游戏做多核优化吧 等待下一次材料技术飞跃吧

    —— 来自 HUAWEI EVR-AL00, Android 9上的 v2.1.2

    宽高是什么
    还要说多少遍啊
    现在的什么几纳米的参数全是等效工艺
    等效平面工艺多少多少纳米
    有三星这种命名鬼才了还不一定够的那种
    对这个完全外行人的看法 ,A厂的5纳米和B厂也是不一样的吧,虽然大家都叫5纳米制程

    发自我的iPhone via Saralin 2.1.7
    来自: iPhone客户端
    流片平民化,跑不动了拉个源码流个专用芯片插上去试试,动手如胶圈,讨论如耳机圈
    5和0之间的数字还有无限个,只是整数不多了。

    是的,三星的水分多
    好像在哪里听说的,门做的越小就需要更多电子才能有传播信息,导致发热越来越严重,散热支撑不住
    所以当初才开始搞多核计算
    我比较赞同丛京生院士的看法,摩尔定律已经终结了,在新的需求不断产生而计算革命尚未到来之前,ASIC和客制化是大势所趋。



    Here is an Intel SEM image from its 22nm process, showing cells with six fins and two fins, but varying lengths of gates.

    注:这是因特尔22nm制程芯片的扫描电镜照片,用的是“鳍式场效应晶体管 FinFET”,这是一种立体结构,gate 是金属栅极,fin 是硅鳍片
    对因特尔10nm制程来说,栅极间距(接触多晶硅间距 Contact Poly Pitch)是54 nm,鳍片间距(最小金属间距 Minimum Metal Pitch)是 44 nm

    Intel’s 10nm Cannon Lake Silicon Design
    http://www.anandtech.com/show/1 ... -deep-dive-review/3
    之后会用gaa取代finfet不

    配合云计算服用更佳

    以后就是云计算厂商定制芯片,公布api。客户端越来越轻量化。
    云计算是不是一个断网就瘫痪了
    现在不也是一个断电就瘫痪了,极端情况其实不用考虑的

    在栅极绝缘层上的量子隧穿效应在45/40 以及32/28节点就很严重了,解决办法是用上了high-k材料来替代氧化硅或者掺N的GOX。在同样的介电常数和电容性能下,high-k材料的物理厚度大了好几倍,从而防止了由于栅级绝缘层变薄到几个原子层带来的量子隧穿效应。

    有带三星工艺的图解么?



    AMDのCPU/GPUを加速するGLOBALFOUNDRIESの7nmプロセス
    後藤 弘茂 (Hiroshige Goto)2018年7月4日

    http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/kaigai/1130956.html
    纳米完了是皮米,1nm = 1000 pm

    嗯,一个硅原子是 111pm 也就是 0.1 nm,水分子是 4nm,二氧化硅是多少没查到

    也就是这之后应该采用完全不同的方法了?可能几十年都不会再有突破了?

    用埃就行吧,1nm10埃了都

    大佬,再请教一下,平时说的7nm,10nm的尺寸是指哪部分的尺寸呢?

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